Número de Producto del Fabricante:
IPS09N03LA G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPS09N03LA G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventario:
12822937
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ENVIAR
IPS09N03LA G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 20µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1642 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3-11
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
IPS09N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
IPS09N03LA G-DG
IPS09N03LAG
IPS09N03LAGX
SP000015131
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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